氮化硅陶瓷。
目前常用的氧化铝基板热导率低、氮化铝基板可靠性差，限制其在高端功率半导体器件中的应用。
氮化硅陶瓷基板具有高强度、高韧性、高绝缘、高热导率、高可靠性及与芯片匹配的热膨胀系数等优点，是一种具有综合性能的基板材料，应用前景广阔。
氮化硅陶瓷的用途
由于Si3N4陶瓷的优异性能，它已在许多工业领域获得广泛应用，如在机械工业中用作涡轮叶片、机械密封环、高温轴承、高速切削工具、永久性模具等；冶金工业中用作坩埚、燃烧嘴、铝电解槽衬里等热工设备上的部件。
化学工业中用作耐蚀、耐磨零件包括球阀、泵体、燃烧器、汽化器等；电子工业中用作薄膜电容器、高温绝缘体等；航空航天领域用作雷达天线罩、发动机等；原子能工业中用作原子反应堆中的支承件和隔离件、核裂变物质的载体等。
氮化铝陶瓷与氧化铝陶瓷相比哪个好？
各有各的优点。
氧化铝陶瓷是一种具有高硬度的工业陶瓷，只能通过金刚石研磨加工。
它由铝土矿制成，可以使用注塑成型，压制，等静压，滑动铸件等方法加工。
由氧化铝制成的产品，其中它的磨损，化学，腐蚀，腐蚀和耐高温和生物侵蚀性，使它们适用于医疗植入物。
氧化铝陶瓷的分类基于其氧化铝含量，其可从70％变化至99.9％。
氧化铝的纯度越高，其磨损和耐腐蚀性越高；氮化铝主要用于电子领域，特别是当散热是一项重要功能时。
高导热性和出色的电绝缘性使氮化铝适用于各种极端环境，尤其适用于要求苛刻的电气应用。
氮化铝的特性是高导热性、高电绝缘能力和低热膨胀。
氧化铝氮化铝是绝缘体还是半导体
都是绝缘体。
氮化铝陶瓷的密度多少？
氮化铝的理论密度为3100±10kg/m3，实际测得α- Si3N4的真比重为3184 kg/m3，β- Si3N4的真比重为3187 kg/m3。
氮化铝陶瓷的体积密度因工艺而变化较大，一般为理论密度的80%以上，大约在2200～3200 kg/m3之间，气孔率的高低是密度不同的主要原因，反应烧结氮化铝的气孔率一般在20%左右，密度是2200～2600 kg/m3，而热压氮化铝气孔率在5%以下，密度达3000～3200 kg/m3，与用途相近的其他材料比较，不仅密度低于所有高温合金，而且在高温结构陶瓷中也是密度较低的一种。
