导热硅胶电路中的作用：
导热硅脂在电路中的作用：
导热硅脂，俗称“散热膏”或“导热膏”，是呈膏状的高效散热产品，填充在配件和散热片之间，它具备“润滑剂+导热层+退烧剂”的多重功效，能充分润泽接触表面，从而形成一个非常低的热阻接口，比配件与散热器接触面中间的空气热传导效率高多了。
涂抹上它，就能够帮助CPU等发热大户迅速“退烧”。
硅脂和硅胶的区别：
导热硅胶和导热硅脂都属于热界面材料。
导热硅胶就是导热RTV胶，在常温下可以固化的一种灌封胶，和导热硅脂最大的不同就是导热硅胶可以固化，有较强的粘接性能。
两者都充当中间传热的填充介质，外观也相似，但硅胶主要的成分是二氧化硅，它具有非常好的粘性，而硅脂是没有黏性的。
所以硅胶主要用在没有扣具或固定装置的散热器中，而硅脂主要是用在有扣具固定的散热设备中。
在使用时如果误将硅胶当作硅脂，你的CPU和散热器就会难分难解，很难分开了，一旦散热器损坏，要想换散热器就只好连CPU一起换了。
电磁炉中的铜线圈的中间，那种白泥一样的东西是什么？
白泥是导热硅脂目的是传递面板之锅底温度到电脑板的热敏电阻一般是100K的负温热敏电阻.热敏电阻是做锅底过热（烧干时）保护监测用的。
不到此时看不出它的作用。
但是不接上也会保错.你把锅直接放到线盘上加热如果正常就可以垫高线盘试。
热敏主传感器为一玻璃封装热敏电阻正常阻值为100~~200K阻值随温度升高而下降此电阻是锅温检测电阻他的作用是检测炉温的超温保护.他开路或是阻值变大也可以引起不检锅.其阻值有两种:一种是早期产品他的阻值是0欧现在的产品一般是100-130K欧.现在天冷有的炉子可能会出现不检锅的现象如果改用温水或是有一定的热度的锅具就可以开机一般都是因为锅温检测电阻阻值变化引起的可以测量他的阻值是否正常如超过130K欧可在其两端并联一个470K欧的电阻就可以解决不检锅的问题.应急可以用一支10K电阻代替热敏电阻来让电磁炉进入工作状态.不能加温往往会有错误代码出现附检锅电路的小知识: 检锅分电流检锅(大多数国产机常用)和高压脉冲检锅(尚朋堂常用)两种。
电流检锅是通过电流互感器(就是板上一个象小变压器的东东，其初级很粗的一匝)来检测工作电流大小，电流达到某值视为有锅。
这里给你一个小经验:在修好主板，特别是换IGBT后，为了检测整机工作是否正常，避免再次损坏昂贵的IGBT，你可在接线圈位置接入100W-200W的灯泡将互感器次级经二极管整流后的输出端通过1K的电阻接到5V端，以模拟有锅状态选择不同的档位或温度看灯泡亮度是否变化以确认整机工作是否正常，若灯泡常亮证明IGBT处于常通状态还需仔细检修。
高压脉冲检锅是通过测IGBT的C极脉冲数以确认是否处于欠阻尼（空载）状态，若大于9个视为欠阻尼（无锅），小于5个视为有锅。
某些机型两种都采用。
至于驱动部分，这不是一两句话说的清楚的，但国产就大多数是采用8050和8550分列件组成，个别采用TA8316集成块，理解起来不难。
需注意：IGBT损坏后必须检查驱动部分，否则...... 另：不检锅一般是大一点的电阻坏了。
电磁炉盘上热敏电阻一般多大？
电磁炉是家中常见的电器，用它来煮东西再正常不过了。
下面小编为大家介绍电磁炉盘上热敏电阻的尺寸和判别方法。
电磁炉内的线盘上测温电阻是一个负温度系数热敏电阻，25摄氏度时阻值为100K，温度越高，阻值会越小。
热敏电阻一般用硅胶包裹，在上面涂导热硅脂来使用。
热敏电阻有很多类型，作为测温使用的一般有玻封型、环氧树脂型、小头径漆包线型等。
作为电磁炉的测温元器件，一般采用玻封型外加其他配件构成热敏电阻组件。
负温度系数的热敏电阻，也就是NTC热敏电阻，常温下阻值约为100k左右，也有10K、50K等规格，但是100K使用的比较多，误差多在1%或2%左右。
NTC热敏电阻随着温度升高阻值减小。
在实际使用时，热敏电阻与陶瓷板紧贴，同时在接触处涂导热硅脂，目的为了提高控制灵敏度。
电磁炉测温一般采用A/D口检测，现在很多的芯片都有A/D采用检测功能。
NTC热敏电阻与另一个电阻串联，利用电阻分压原理，读取AD值，最终与分压得到的值比较判断当前温度。
电磁炉的热敏电阻不仅起到测温作用，同时也起到保障安全的作用。
当温度达到一定值时，电路自动断开输出。
一般的厂商在热敏电阻发生异常时会显示相应的错误代码，这为了在维修检测时很方便的找出原因。
电磁炉盘上热敏电阻属半导体结构，是非线性半导体器件，其阻值非定值。
如果用指针式万用表Rx1K档测其阻值，正反测其阻值均在100千欧偏多（粗略值），不同的仪表测得的数值可能会有不同。
热敏电阻阻值一般是多少？
常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。
热敏电阻一般采用负温度系数（NTC），且每种温度采集方式也都各自有优缺点，温度检测常用有压环式热敏电阻测温、插件式热敏电阻测温和贴片式热敏电阻测温。
插件式热敏电阻测温的NTC是直接焊在PCB上，通常采用玻璃封装的插件NTC，NTC装在一个小硅胶壳里面，硅胶壳里再填上导热硅脂。
IGBT倒在热敏电阻上面，装配时会受到不同程度的应力，硅胶壳就起缓冲的作用，而且装配有可能IGBT与热敏电阻的接触会产生空隙，影响传热效果，所以就需要添加导热硅脂。
扩展资料：
原理
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
参考资料：网络百科-IGBT
